集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2019.05.12)

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1.問(wèn)答題可測(cè)試性的3個(gè)重要方面是什么？每一種的含義是什么？

參考答案：測(cè)試生成：是指產(chǎn)生驗(yàn)證電路的一組測(cè)試碼又稱為測(cè)試矢量
測(cè)試驗(yàn)證：指一個(gè)給定測(cè)試集合的有效性測(cè)度，通常是通過(guò)故障...

2.問(wèn)答題淀積的主要作用是什么？

生成器件制造所需的材料

3.問(wèn)答題鋁柵MOS工藝的缺點(diǎn)是什么？

制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對(duì)齊

4.問(wèn)答題進(jìn)一步提高M(jìn)ESFET性能的措施是什么？

改進(jìn)有源層的導(dǎo)電能力

5.問(wèn)答題什么是材料系統(tǒng)？

由一些基本材料，如在Si，GaAs或InP制成的襯底上或襯底內(nèi)，用其它物質(zhì)再生成一層或幾層材料。

6.問(wèn)答題HBT的主要優(yōu)點(diǎn)是什么？適于何種應(yīng)用？

HBT具有很強(qiáng)的電流驅(qū)動(dòng)能力；適用于模擬信號(hào)的功率放大和門陣列邏輯的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)。

7.問(wèn)答題為什么數(shù)字模塊和模擬模塊在同一襯底上實(shí)現(xiàn)容易產(chǎn)生數(shù)字模塊干擾模擬模塊？

數(shù)字模塊常常會(huì)在電源線和地線上產(chǎn)生脈沖干擾，模塊放大器對(duì)此干擾較為敏感，導(dǎo)致兩者之間產(chǎn)生耦合。

8.問(wèn)答題為什么正膠在顯影時(shí)很容易被去掉？

因?yàn)檎z在曝光時(shí)被光照的光刻膠發(fā)生分解反應(yīng)。

9.問(wèn)答題晶向指數(shù)表示什么？

所有相互平行，方向一致的晶向晶面，指數(shù)代表所有相互平行的一組晶面

10.問(wèn)答題芯片的可靠性問(wèn)題一般指哪些？

天線效應(yīng)、Latch-Up效應(yīng)和靜電放電ESD保護(hù)