集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2019.04.27)

來源:考試資料網(wǎng)
參考答案:基區(qū)薄層電阻擴(kuò)散完成后,還有多道高溫處理工序,所以雜質(zhì)會進(jìn)一步往里邊推,同時表面的硅會進(jìn)一步氧化。形成管子后,實際電阻比...
參考答案:

PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS
溝道載流子特性、柵極材料、金屬層數(shù)、特征尺寸工藝可以實現(xiàn)的平面結(jié)構(gòu)的最小尺寸

參考答案:輸出高電平偏低:VCE3和R5上的電壓過大,可以通過減小VCE3和IC3來實現(xiàn)。
輸出高電平偏高:VCE5上的...
參考答案:

由一些基本材料,如在Si,GaAs或InP制成的襯底上或襯底內(nèi),用其它物質(zhì)再生成一層或幾層材料。

參考答案:因為氧化層中如含有高濃度的鈉,則線性和拋物型氧化速率常數(shù)明顯變大。措施有:加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na+沾污;也可采用摻氯...
參考答案:

半導(dǎo)體與絕緣體相結(jié)合的材料系統(tǒng)

參考答案:以CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS;
工藝和以雙極工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS;
工藝以CMOS工藝為基...
參考答案:

制造廠家根據(jù)版圖的這些信息來制造掩膜

參考答案:

包括微帶(Micro-strip)和共面波導(dǎo)(CPW,CoplaneWaveGuidE.型的傳輸線。

參考答案:采用晶體管進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪B接并使其工作在一定的狀態(tài),利用它的直流導(dǎo)通電阻和交流電阻作為電路中的電阻元件使用
雙極性...