半導(dǎo)體集成電路填空題每日一練(2020.06.09)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題對一個512×512的NOR MOS，假設(shè)平均有50%的輸出是低電平，有一已設(shè)計電路的靜態(tài)電流大約等于0.21mA(輸出電壓為1.5V時)，則總靜態(tài)功耗為（），就從計算得到的功耗看，這個電路設(shè)計的（）（“好”或“差”）。

2.填空題可以把一個4Mb的SRAM設(shè)計成[Hirose90]由32塊組成的結(jié)構(gòu)，每一塊含有128Kb，由1024行和（）列的陣列構(gòu)成。行地址（X）、列地址（Y）、和塊地址（Z）分別為（）、（）、（）位寬。

3.填空題一般的說，傳輸門邏輯電路適合（）邏輯的電路。比如常用的（）和（）

4.填空題對于一般的動態(tài)邏輯電路，邏輯部分由輸出低電平的（）網(wǎng)組成，輸出信號與電源之間插入了柵控制極為時鐘信號的（），邏輯網(wǎng)與地之間插入了柵控制極為時鐘信號的（）

5.填空題集成電路的內(nèi)連線有：（）