半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.01.07)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題氧化工藝產(chǎn)生的SiO₂為何種類型？并說明其結(jié)構(gòu)對其強(qiáng)度和密度的影響。

參考答案：半導(dǎo)體工藝中用熱氧化法生長的SiO₂是典型的無定形SiO₂。無定形SiO

2.名詞解釋瞬態(tài)上升時(shí)間

參考答案：tr-輸出電壓Vo從低電平VOL上升到高電平VOH的時(shí)間間隔。Rise-上升。

3.問答題在STI的形成步驟中有一道liner oxide（線形氧化層）， liner oxide 的特性功能為何？

4.問答題一般硅片的制造（wafer process）過程包含哪些主要部分？

參考答案：①前段（frontend）-元器件（device）的制造過程。
②后段（backend）-金屬導(dǎo)線的連接及護(hù)層...

5.問答題采用MOSFET作為nMOS反相器的負(fù)載器件有哪些優(yōu)點(diǎn)？

參考答案：采用負(fù)載電阻會(huì)占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負(fù)載電阻小，并且有源負(fù)載反相器電路比無源負(fù)載反相器有更好的...

6.問答題運(yùn)用基區(qū)擴(kuò)散電阻，設(shè)計(jì)一個(gè)方塊電阻200歐，阻值為1K的電阻，已知耗散功率為 20W/cm²，該電阻上的壓降為5V，設(shè)計(jì)此電阻。

7.問答題寫出傳輸門電路主要的三種類型和他們的缺點(diǎn)。

NMOS傳輸門，不能正確傳輸高電平
PMOS傳輸門，不能正確傳輸?shù)碗娖?br /> CMOS傳輸門，電路規(guī)模較大。

8.問答題硅化物（salicide）的形成步驟主要可分為哪些？

參考答案：①Co（或Ti）+TiN的沉積；
②第一次RTA（快速熱處理）來形成Salicide。
③將未反應(yīng)的...

9.問答題YE工程師的主要工作內(nèi)容？

參考答案：① 負(fù)責(zé)生產(chǎn)過程中異常缺陷事故的追查分析及改善工作的調(diào)查與推動(dòng)。
② 評估并建立各項(xiàng)缺陷監(jiān)...