半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.01.06)
來源：考試資料網(wǎng)參考答案：本征硅的擴(kuò)散系數(shù)：硅中空位主要是中性空位；
低摻雜（本征）下的擴(kuò)散系數(shù)：雜質(zhì)濃度與本征載流子濃度幾乎相等（n=...
低摻雜（本征）下的擴(kuò)散系數(shù)：雜質(zhì)濃度與本征載流子濃度幾乎相等（n=...
參考答案：集成電路設(shè)計(jì)包括邏輯設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)和工藝設(shè)計(jì)。
通常有兩種設(shè)計(jì)途徑：正想設(shè)計(jì)和逆向設(shè)計(jì)。
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通常有兩種設(shè)計(jì)途徑：正想設(shè)計(jì)和逆向設(shè)計(jì)。
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參考答案：熱氧化過程中，氧化層的增厚包括三個(gè)過程：氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式輸運(yùn)到氣體—氧化層界面：氧化劑穿過滯流層到...
參考答案：優(yōu)點(diǎn)：元件間的匹配及溫度跟蹤好
缺點(diǎn)：
①精度低，絕對(duì)誤差大；
③可制作范圍有限，不能太大...
缺點(diǎn)：
①精度低，絕對(duì)誤差大；
③可制作范圍有限，不能太大...
參考答案：芯片制造廠可分成六個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)：擴(kuò)散、光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、離子注入和拋光。
擴(kuò)散區(qū)：通常是進(jìn)行高溫工藝和薄...
擴(kuò)散區(qū)：通常是進(jìn)行高溫工藝和薄...
8.問答題
考慮一個(gè)具有如下參數(shù)的CMOS反相器電路：
VDD=3.3V VTN=0.6V VTP=-0.7V KN=200uA/V2 Kp=80uA/V2
計(jì)算電路的噪聲容限。
9.名詞解釋1級(jí)凈化間
參考答案：指每單位體積內(nèi)可以接受的0.5um顆粒的顆粒數(shù)不超過1個(gè)
10.問答題簡(jiǎn)述有比反相器和無比反相器
參考答案：①有比反相器在輸出低電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)管和負(fù)載管同時(shí)導(dǎo)通，其輸出低電平由驅(qū)動(dòng)管的導(dǎo)通電阻RON和負(fù)載管的...
