半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.04.03)
來源：考試資料網(wǎng)參考答案：缺陷掃描機(jī) (defect inspection tool)以圖像比對(duì)的方式來找出defect.并產(chǎn)出defect re...
參考答案：劃分隔離區(qū)、基本設(shè)計(jì)條件的確定、各單元的圖形設(shè)計(jì)、布局、布線
參考答案：①設(shè)計(jì)規(guī)則決定的最小擴(kuò)散條寬Wmin
②工藝水平和電阻精度要求所決定的最小電阻條寬Wr，min
③流...
②工藝水平和電阻精度要求所決定的最小電阻條寬Wr，min
③流...
參考答案：雙極性集成電路中最常用的電阻器是基區(qū)擴(kuò)散電阻 MOS集成電路中常用的電阻有多晶硅電阻和用MOS管形成的電阻。
參考答案：氧化，即在硅表面形成一氧化層的能力，是硅集成電路制造技術(shù)的基礎(chǔ)及關(guān)鍵因素之一。
室溫下也會(huì)生長(zhǎng)出自然氧化層，但...
室溫下也會(huì)生長(zhǎng)出自然氧化層，但...
6.問答題為什么基區(qū)薄層電阻需要修正。
參考答案：基區(qū)薄層電阻擴(kuò)散完成后，還有多道高溫處理工序，所以雜質(zhì)會(huì)進(jìn)一步往里邊推，同時(shí)表面的硅會(huì)進(jìn)一步氧化。形成管子后，實(shí)際電阻比...
