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半導體集成電路問答題每日一練(2020.06.09)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題有一nMOS E /D反相器，若V_TE=2V，V_TD=-2V，K_NE/K_ND=25，V_DD=2V，求此反相器的高、低輸出邏輯電平是多少？

參考答案：V_OL=V_TD² K_ND

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2.問答題 確定圖1中ROM中存放地址0，1，2和3處和數(shù)據(jù)值。并以字線WL[0]為例，說明原理。

參考答案：（0）：0100；（1）：1001；（2）：0101；（3）：0000；
工作原理：此電路工作時，四條字線只允...

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3.問答題OC門在結構上作了什么改進，它為什么不會出現(xiàn)TTL與非門并聯(lián)的問題。

參考答案：去掉TTL門的高電平的驅動級，oc門輸出端用導線連接起來，接到一個公共的上拉電阻上，實施線與，此時就不會出此案大電流灌入...

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4.問答題試畫出CMOS雙阱工藝中器件結構的剖面圖并在其上標注出主要材料層的名稱。

參考答案：

5.問答題請給出NMOS晶體管的閾值電壓公式，并解釋各項的物理含義及其對閾值大小的影響（即各項在不同情況下是提高閾值還是降低閾值）。

參考答案：