半導體集成電路章節(jié)練習(2020.06.09)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線 參考答案：PCM (Process control monitor) SPEC廣義而言是指芯片制造過程中所有工藝量測項目的規(guī)格,狹... 參考答案：動態(tài)組合邏輯電路由輸出信號與電源之間插入的時鐘信號PMOS,NMOS邏輯網(wǎng)和邏輯網(wǎng)與地之間插入的時鐘信號NMOS組成。當... 參考答案：指崩潰電壓（擊穿電壓），在 Vg=Vs=0時，Vd所能承受的最大電壓，當Vd大于此電壓時，源、漏之間形成導電溝... 參考答案：① Check MES系統(tǒng)， 察看自己Lot情況
② 處理in&ens... 參考答案：中測：封裝前對完成加工的硅片上的所有芯片進行的探針測試和電學測試，已選擇出可用的芯片。
成測：對封裝后的芯片進... 參考答案：
B：P型雜質(zhì)，OED；
P：N型雜質(zhì)，深結(jié)，OED；
AS：N型雜質(zhì)，離子注入精確控制結(jié)深。
參考答案：輸出不確定區(qū)域（非靜態(tài)區(qū)域）寬度，VW=VIHmin-VILmax。
