問(wèn)答題簡(jiǎn)述摻雜的兩種方法
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1.問(wèn)答題氧化層在芯片制備中有哪幾方面的應(yīng)用?
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4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅片清洗目標(biāo)
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最新試題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型:判斷題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題