化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

CMP的設備構成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。