判斷題集成電路制造工藝中隔離擴散的深度可以不超過外延層的厚度。
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從設計的觀點出發(fā),版圖設計規(guī)則應包括哪些部分?
題型:問答題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
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MOS場效應管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
題型:多項選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
設計一個CMOS差分放大器電路,寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
半導體工藝技術中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項選擇題