MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

MOS器件存在哪些二階效應？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

版圖設計的基本前提是什么？