新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。