摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。