濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。