A、宜優(yōu)先采用加熱拌合水的方法提高拌合物溫度
B、應(yīng)先投入骨料和熱水進(jìn)行攪拌,然后再投入膠凝材料等共同攪拌
C、當(dāng)骨料不加熱時,拌合水可加熱到60℃以上
D、拌合物的出料溫度不宜超過85℃
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A、生產(chǎn)使用的原材料應(yīng)與配合比設(shè)計一致
B、砼拌合物性能應(yīng)滿足施工要求
C、砼強度評定應(yīng)符合設(shè)計要求
D、砼耐久性能應(yīng)符合設(shè)計要求
A、速凝
B、離析
C、泌水
D、蠕動
A、砼拌合物應(yīng)在滿足施工要求的前提下,盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于500mm
C、自密實砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時損失不宜大于30mm/h
A、砼拌合用水必須達(dá)到飲用水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
B、砼拌合用水不得使用低于5℃的深井水
C、未經(jīng)處理的海水嚴(yán)禁用于鋼筋砼和預(yù)應(yīng)力砼
D、當(dāng)骨料具有堿活性時,砼拌合用水不得采用砼企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備洗漱水
A、pH值
B、水泥凝結(jié)時間差
C、氯離子含量
D、可溶物含量
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
硅片拋光在原理上不可分為()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()