A、變形測(cè)量儀應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測(cè)量儀應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測(cè)量儀應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對(duì)稱于試件的兩端
D、變形測(cè)量儀應(yīng)安裝于試件兩個(gè)承壓面上，承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
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A、每次試驗(yàn)應(yīng)制備6個(gè)試件
B、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，3個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另3個(gè)用于測(cè)定彈性模量
C、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件都是用于測(cè)定彈性模量，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗(yàn)是6個(gè)試件為一組
D、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，1個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另5個(gè)用于測(cè)定彈性模量
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%，則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒32.0～40.0kN
D、C25級(jí)砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
PN結(jié)的基本特性是（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。