A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
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A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、干燥收縮
A、粉煤灰應(yīng)符合JC/T409的規(guī)定
B、石灰應(yīng)符合JC/T621的規(guī)定
C、水泥應(yīng)符合GB175的規(guī)定
D、水泥應(yīng)符合JC/T175的規(guī)定
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強度等級
D、密度等級
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時;
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時;
C、正常生產(chǎn)時,每半年進行一次;
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上,恢復生產(chǎn)時。
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。