A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時(shí);
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時(shí);
C、正常生產(chǎn)六個(gè)月時(shí)(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)
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A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
A、原材料
B、要求
C、檢驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
A、B02
B、B03
C、B08
D、B09
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列是晶體的是()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。