多項選擇題關于后張法錨固端外露的預應力筋，說法正確的有（）
A、可以用焊割方式截斷
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預應力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
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1.多項選擇題以下哪些是洛氏硬度的符號（）
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
2.多項選擇題下面關于錨具描述正確的有（）
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實驗能完全反映錨具性能
D、錨具外露端應有防護措施
3.多項選擇題下列關于錨具靜載實驗的描述，錯誤的有（）
A、實驗應在1小時內做完
B、試驗段長度應為2米
C、實驗前應做硬度試驗
D、最終的總應變越小越好
4.多項選擇題若錨具硬度太小，會出現(xiàn)（）
A、錨頭端預應力筋斷裂
B、滑絲
C、內縮值偏大
D、夾片斷裂
5.多項選擇題錐塞式錨具按材料分有（）
A、鋼質錐塞式
B、預應力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題