A、達到95%預應力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達到90%預應力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達到120%預應力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達到110%預應力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護層厚度不小于50mm
C、外露預應力筋的保護層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預應力筋的保護層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截斷
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預應力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實驗能完全反映錨具性能
D、錨具外露端應有防護措施
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
改良西門子法的顯著特點不包括()
下列是晶體的是()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。