MOS管版圖一般匹配原則有（）。

CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。

光刻時，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的是什么邏輯？（）

無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個命令？（）

MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡稱。

顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。