集成電路版圖物理驗證必須要做的步驟主要有哪些？（）

以下工藝中，方塊電阻是一個重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。

反相器的版圖一般用到幾個pitch？（）

MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實現(xiàn)的是什么邏輯？（）

STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

用四端器件繪制電路圖時，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。

顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。

集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。