常壓的硅外延方法有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）