編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。