在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

版圖設計的基本前提是什么？

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？