原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）