填空題線型無(wú)定型高聚物在不同溫度下表現(xiàn)出的三種力學(xué)狀態(tài)(),()和()。
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
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如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
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與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
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用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
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在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題