下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

可用作硅片的研磨材料是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。