屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

PN結(jié)的基本特性是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。