載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。