單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到（）。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
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1.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個(gè)測點(diǎn)，每個(gè)測點(diǎn)連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點(diǎn)的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
2.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法不適用于以下磚砌體（）。
A.燒結(jié)普通磚
B.砌體多孔磚砌體
C.遭受火災(zāi)后的砌體
4.單項(xiàng)選擇題目前，在現(xiàn)場對砌體強(qiáng)度進(jìn)行檢測時(shí)，以下哪種方法不適合（）。
A.回彈法
B.扁式法
C.鉆芯法
D.原位軸壓法
5.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)是指將由塊體和砂漿砌筑而成的（）作為建筑物主要受力構(gòu)件的結(jié)構(gòu)體系。
A.樁基
B.墻、柱
C.梁、板
D.墊層
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題