多項選擇題原位單剪法檢測時,測試設備包括以下哪些()。
A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
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1.多項選擇題砌體工程冬期施工的常用方法有()。
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結法
2.多項選擇題切制試件法的切制試件的抗壓試驗步驟,應包括試件試驗機底板上的()等檢測及測試事項。
A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
3.多項選擇題原位單剪法檢測時,測試部位宜選在()或范圍內(nèi),試件具體尺寸應符合標準規(guī)定。
A.窗洞口
B.后砌窗下墻處
C.其他洞口下三皮磚
D.離樓面層近
4.多項選擇題以下哪些符合切制試件法的測試步驟()。
A.試件運至試驗室后,應將試件上下表面大致修理平整
B.應在預先找平的鋼墊上坐漿,然后應將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應用1:3水泥砂漿找平
D.試件頂面應用1:1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時,應在寬側面上粘貼安裝百分表的表座
5.多項選擇題芯柱的作用是()。
A.抗震設防
B.加強房屋結構延性
C.加強房屋耐久性
D.加強房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
PN結的基本特性是()
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題