A.測區(qū)應(yīng)隨機(jī)布置n個測點(diǎn),對原位單磚雙剪法,在墻體兩面的測點(diǎn)數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于1.5m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m,且不應(yīng)在同一水平位置或縱向位置
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為8mm~12mm
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A.加荷時應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當(dāng)試件沿受剪面滑動、千斤頂開始卸荷時,應(yīng)判定試件達(dá)到破壞狀態(tài)
C.應(yīng)記錄破壞荷載值,并應(yīng)結(jié)束測試
D.應(yīng)在預(yù)定剪切面(灰縫)破壞,測試有效
A.燒結(jié)普通磚
B.燒結(jié)空心磚
C.燒結(jié)多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結(jié)法
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
硅片拋光在原理上不可分為()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。