A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.獨(dú)立磚柱
D.完整墻體中部
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A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過lm
C.洞口頂宜設(shè)置過梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū)，必須與設(shè)計協(xié)商
A.測區(qū)應(yīng)隨機(jī)布置n個測點(diǎn)，對原位單磚雙剪法，在墻體兩面的測點(diǎn)數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測點(diǎn)之間，水平方向凈距不應(yīng)小于1.5m，垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m，且不應(yīng)在同一水平位置或縱向位置
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為8mm~12mm
A.加荷時應(yīng)勻速施加水平荷載，并應(yīng)控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當(dāng)試件沿受剪面滑動、千斤頂開始卸荷時，應(yīng)判定試件達(dá)到破壞狀態(tài)
C.應(yīng)記錄破壞荷載值，并應(yīng)結(jié)束測試
D.應(yīng)在預(yù)定剪切面（灰縫）破壞，測試有效
A.燒結(jié)普通磚
B.燒結(jié)空心磚
C.燒結(jié)多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
下列是晶體的是（）。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。