A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時間
C.進(jìn)一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時間
A.計算
B.分析
C.強(qiáng)度推定
D.采集
E.計數(shù)
A.現(xiàn)場檢測
B.委托檢測
C.見證檢測
D.抽樣檢測
A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時,在避免擾動四周的砌體;槽間砌體的承壓面應(yīng)個平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列是晶體的是()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()