改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

下列是晶體的是（）。 

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）