在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

可用作硅片的研磨材料是（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）