自由電子是載流子，空穴不是。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

淀積擴散主要受哪些因素的控制？

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

自由電子帶負電，空穴帶正電。