常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。