單項(xiàng)選擇題CZ法拉不出高阻單晶硅錠的主要原因是（）
A.氣相雜質(zhì)融入熔體再進(jìn)入了硅錠
B.坩堝材料分解出的氧會(huì)進(jìn)入硅錠
C.多晶硅原料純度不夠高
D.干鍋清洗不干凈造成
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1.多項(xiàng)選擇題IC采用鋁互連系統(tǒng)時(shí)，下列哪種方法可以避免Al-Si的尖楔現(xiàn)象（）
A.在淀積的鋁膜中摻入約1%Si
B.在淀積的鋁膜中摻入約1%Cu
C.在鋁膜表面覆蓋Si3N4
D.在淀積鋁之前先淀積一薄層TiN薄膜
3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于光學(xué)光刻，下列哪種方法可以獲得高分辨率（）
A.光源為紫光
B.使用移相掩膜技術(shù)制備的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.駐波效應(yīng)對(duì)分辨率無影響
4.多項(xiàng)選擇題濺射與蒸鍍比較，下列那種說法正確（）
A.蒸鍍工藝的普適性更好
B.濺射工藝的普適性更好
C.濺射工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
D.蒸鍍工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
5.多項(xiàng)選擇題從兩電極面積判斷射頻濺射時(shí)，靶放在那個(gè)電極上、襯底放在那個(gè)電極上（）
A.襯底放在面積大的電極上
B.靶放在面積大的電極上
C.襯底放在面積小的電極上
D.靶放在面積小的電極上
最新試題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題