多項(xiàng)選擇題IC采用鋁互連系統(tǒng)時(shí)，下列哪種方法可以避免Al-Si的尖楔現(xiàn)象（）
A.在淀積的鋁膜中摻入約1%Si
B.在淀積的鋁膜中摻入約1%Cu
C.在鋁膜表面覆蓋Si3N4
D.在淀積鋁之前先淀積一薄層TiN薄膜
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2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于光學(xué)光刻，下列哪種方法可以獲得高分辨率（）
A.光源為紫光
B.使用移相掩膜技術(shù)制備的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.駐波效應(yīng)對(duì)分辨率無(wú)影響
3.多項(xiàng)選擇題濺射與蒸鍍比較，下列那種說(shuō)法正確（）
A.蒸鍍工藝的普適性更好
B.濺射工藝的普適性更好
C.濺射工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
D.蒸鍍工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
4.多項(xiàng)選擇題從兩電極面積判斷射頻濺射時(shí)，靶放在那個(gè)電極上、襯底放在那個(gè)電極上（）
A.襯底放在面積大的電極上
B.靶放在面積大的電極上
C.襯底放在面積小的電極上
D.靶放在面積小的電極上
5.單項(xiàng)選擇題為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極，多采用下列哪種工藝方法（）
A.射頻濺射
B.LPCVD
C.電阻蒸鍍
D.PECVD
最新試題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題