如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列是晶體的是（）。 

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。