CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）