封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）