如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝對準誤差包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。