單項(xiàng)選擇題在已擴(kuò)散結(jié)深達(dá)0.8μm的p-Si上再進(jìn)行濕氧,氧化層厚0.2μm時,結(jié)深是多少()
A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm
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2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于離子注入?yún)^(qū)形成非晶層的臨界劑量,下面哪幾種說法正確()
A.靶溫升高,臨界劑量上升
B.注入離子越輕,臨界劑量越小
C.注入離子劑量率增大,臨界劑量降低
D.注入離子能量越高,臨界劑量越低
3.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)在何時不可以看成是常數(shù)()
A.在本征硅上擴(kuò)散摻入中等濃度的雜質(zhì)硼
B.在重?fù)诫sp型硅上擴(kuò)散摻入n型雜質(zhì)
C.在中等濃度p型硅上擴(kuò)散摻入n型雜質(zhì)
D.在本征硅上擴(kuò)散摻入高濃度的雜質(zhì)硼,同時進(jìn)行氧化
4.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散摻雜,擴(kuò)散區(qū)要比掩膜窗口尺寸(),這是()效應(yīng)引起的,它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。
A.大,場助擴(kuò)散
B.大,橫向擴(kuò)散
C.小,橫向擴(kuò)散
D.大,氧化增強(qiáng)
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