完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。它們是制造半導(dǎo)體器件的基本材料。
電導(dǎo)率介于金屬和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。
是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件,當(dāng)某種物質(zhì)受到光照時(shí),載流子的濃度增加從而增加了電導(dǎo)率,這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。
將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低,是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。
是一種機(jī)電元件,他靠電刷在電阻體上的滑動(dòng),取得與電刷位移成一定關(guān)系的輸出電壓。
最新試題
等離子體
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
猝滅劑
XPS只能檢測(cè)元素種類,無(wú)法標(biāo)定元素含量。
陰極射線致發(fā)光
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
本征光電導(dǎo)
MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。
光電導(dǎo)效應(yīng)