GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

磁滯回線

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級是相等的。

非本征光電導(dǎo)

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。