也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮氣等不活潑氣氛中進行的熱處理過程都可以稱為退火。
是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐中，將雜質(zhì)擴散到硅片內(nèi)的一種方法。
最新試題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
芯片粘接的工藝過程包括（）。
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
常壓的硅外延方法有（）。
金屬化中可選用的金屬材料有（）。